В настоящее время наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Их основой является пластинка полупроводника в которой имеются три области с разной электропроводностью эмиттер, база и коллектор. Иначе говоря, в таком транзисторе два р-п перехода. Одни из них связывает эмиттер с базой и называется эмиттерным, другой соединяет баз y с коллектором и называется коллекторным.

Базу биполярного транзистора обозначают на схемах короткой черточкой с линией-выводом от середины (рис. 1). Об электропроводности базы судят но символу эмиттера. Его обозначают линией со стрелкой, проведенной к символу базы под углом 60°. Если стрелка эмиттера направлена к базе (рис. 1, а), то это означает, что база имеет электропроводность типа п, эмиттер — электропроводность типа р. Если же база обладает электропроводностью типа р, то стрелку на символе эмиттера (у него в этом случае электропроводность типа п) направляют от базы (рис. 1, б). Наклонной линией обозначают и третий электрод транзистора — коллектор, но стрелку в этом случае не ставят: электропроводность коллектора всегда такая же, как и у эмиттера. В справочниках электропроводность эмиттера, базы и коллектора каждого транзистора указывают в виде структурной формулы (или просто структуры): если, например, база имеет электропроводность типа п, то структура данного транзистора р-п-р, если же ее электропроводность другого типа (р), то структура транзистора п-р-п. Знать структуру транзистора необходимо для того, чтобы правильно подключить его к источнику питания.

Символы транзисторов принято помещать в кружок, символизирующий корпус полупроводникового прибора. Его не показывают только в том случае, если транзистор не имеет корпуса (например, в символах бескорпусных транзисторов интегральных и гибридных микросхем).

Один из электродов транзистора нередко соединен с металлическим корпусом. На условном обозначении это показывают (при необходимости) жирной точкой в месте пересечения вывода этого электрода с символом корпуса (например, на рис. 1, а с корпусом соединен коллектор транзистора). Если же корпус имеет самостоятельный вывод, его изображают, как показано на рис. 1, б.

Для обозначения разновидностей биполярных транзисторов используют специальные знаки, помещаемые между символами эмиттера и коллектора. Например, чтобы показать на схеме так называемый лавинный транзистор, внутри символа корпуса изображают знак в виде прямого уголка (рис. 2, а).

Иначе построено условное графическое обозначение так называемого однопереходного транзистора. Как говорит само название у этого полупроводникового прибора всего один р-п переход (эмиттерный). В то же время его база имеет два вывода (по обе стороны от р-п перехода). Это нашло отражение и в условном обозначении: символ эмиттера однопереходного транзистора направлен к середине символа его базы, а выводы от нее (база 1 и база 2) смещены к краям. В качестве примера на рис. 2, б показано условное обозначение однопереходного транзистора с базой типа п.

На символ однопереходного транзистора похоже условное обозначение так называемого полевого транзистора с р-п переходом (рис. 3). Основной элемент этих полупроводниковых приборов — канал — изображают так же, как и базу рассмотренных выше транзисторов, но помещают его в середине символа корпуса. Две параллельные линии справа (по рис. 3) символизируют исток и сток полевого транзистора, а линия, продолжающая (в противоположную сторону) линию истока, — затвор. Поскольку последний соединен с каналом р-п переходом, на условном обозначении затвора изображают стрелку, назначение которой — показать тип электропроводности канала. Острие стрелки направляют к каналу, если его электропроводность типа п (рис. 3, а), и от капала, если он имеет электропроводность типа р (рис. 3, б).

В полевых транзисторах с изолированным затвором (его в этом случае изображают короткой линией, параллельной символу канала с выводом на продолжение линии истока) электропроводность канала показывают короткой стрелкой со стороны выводов истока и стока. Если стрелка направлена к символу канала (рис. 4, а), то считается, что он имеет электропроводность типа п, а если от символа канала (рис. 4, б) — электропроводность типа р.

Таким же способом показывают тип электропроводности канала и в том случае, если от кристалла (подложки) сделан отдельный вывод (рис. 4, в). Нередко вывод подложки соединен с истоком внутри транзистора. На схемах это изображают, как показано на рис. 4, г.

В полевом транзисторе может быть и несколько затворов. В качестве примера на рис. 4, д изображен полевой транзистор с двумя изолированными затворами.

Символы, показанные на рис 4, используют для обозначения полевых транзисторов с встроенным каналом. Но есть и транзисторы с так называемым индуцированным каналом (он приобретает нужный тип электропроводности только после включения питания). Индуцированный канал показывают в условном обозначении не сплошной, а штриховой линией (рис. 5, а и б).